Дијамант за галванизацију на електричним грејним цевима има високу чврстоћу везивања са материјалима за лемљење

Дијамант за галванизацију на електричним грејним цевима има високу чврстоћу везивања са материјалима за лемљење

Анализом микроструктуре интерфејса између дијаманта и лема, установљено је да ће током процеса лемљења, лем формирати богат слој Цр на интерфејсу дијаманта и реаговати са Ц елементом на површини дијаманта да би створио Цр3Ц2 и Цр7Ц3. . Међу њима, Цр7Ц3 расте на начин као изданак, а Цр3Ц2 расте на начин попут листа. Коначно, спроведени су упоредни експерименти брушења да би се потврдила висока чврстоћа везе између дијаманта и материјала за лемљење. Ма Бојианг и др. користио је високофреквентно индукционо лемљење за лемљење дијаманта обложеног Ти и необложеног дијаманта користећи две различите композиције Ни Цр материјала за лемљење под истим условима процеса лемљења. У експерименту су коришћена два типа активних материјала за лемљење на бази никла, са разликом од 4 процента Цр (масени удео). Високофреквентно индукционо лемљење је изведено под заштитом Ар гаса, са температуром лемљења мањом од 1100 степени и изолацијом неколико секунди. Резултати показују да различит састав материјала за лемљење и да ли је дијамант обложен Ти или не доводи до различитог састава и морфологије карбида насталих на површини дијаманта, што утиче на њихову чврстоћу везивања са дијамантом. Посматрање скенирајућим електронским микроскопом показује да је сребрно бела легура омотана око периметра дијаманта, а материјал за лемљење је равномерно распоређен између дијамантских абразивних честица. Дијамант је чврсто лемљен, а висина дијамантског сечива је велика. Анализа дифракције рендгенских зрака може уочити дифракцијски пик Цр3Ц2, што указује на формирање Цр3Ц2. Захваљујући слоју карбида на дијамантском интерфејсу, легирани материјали постижу високо приањање дијаманта.

ввв.супербхеатер.цом